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沉痛！中国半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世

作者：罗灵姣　日期：2022-06-26 08:43:01　点击数：
6月23日，中国科学院半导体研究所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于2022年6月23日17时在北京逝世，享年89岁。

沉痛！中国半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世(图1)



梁骏吾，1933年9月18日出生，湖北武汉人。1955年毕业于武汉大学，1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，1960年获技术科学副博士学位。1997年当选为中国工程院院士。曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、名誉主任。

梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。上世纪80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。

目前90％以上的半导体产品使用硅基材料制造。半导体硅片是半导体制造的核心材料，亦是半导体产业的基石，约占半导体制造材料的三分之一。半导体硅片又称硅晶圆片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成集成电路和各种半导体器件。


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