佰维存储公告称，2026 年第一季度实现营业收入 68.14 亿元，同比增长 341.53%；归属于上市公司股东的净利润为 28.99 亿元，同比扭亏为盈。业绩变动主要系本期业绩大幅增长，主要受益于 AI 算力爆发，存储行业进入高景气周期，市场需求旺盛推动产品价格持续上涨。

受此消息催化，科创芯片 ETF ( 588290 ) 上涨 0.5%，成分股中船特气上涨 7.2%，芯源微上涨 4%，峰岹科技上涨 3.5%，联芸科技上涨 3.01%，纳芯微上涨 2.43%。拉长时间看，截至上一个交易日收盘，科创芯片 ETF ( 588290 ) 近 1 周累计上涨 5.15%。

热点解读

当前，存储行业进入新一轮景气周期，DRAM 合约价（芯片供应商与客户之间签订的长期供应合同中的价格）预计 2026 年第一季度季增 90% 至 95%，第二季度涨价已提前锁定，再涨约 30%。TrendForce 数据显示，第二季度 DRAM 合约价将季增 58% 至 63%，NAND Flash 合约价则季增 70% 至 75%。Micron 财报显示，DRAM 业务营收同比增长 207%，环比增长 74%，产品 ASP 环比上涨约 65%；NAND Flash 业务营收创历史新高，环比增长 82%，产品 ASP 环比上涨 75%～79%。

涨价背后，存储芯片产能供应持续吃紧。大型 AI 数据中心建设需求激增，促使科技公司大量囤积存储芯片，导致整个行业处于短缺状态。全球 HBM ( 高带宽内存 ) 未来 3 年复合年增长率预计超 40%，短缺态势将持续到 2026 年以后。Samsung 已确认正在开发第八代高带宽内存 HBM5，核心底层芯片将采用 2nm 工艺打造。

为匹配市场需求，Micron 上调资本开支规划，2026 财年资本支出预计超 250 亿美元，2027 财年将继续大幅增长，重点投向 HBM 及 DRAM 产能建设。2026 年资本支出重点将转向制程技术升级与混合键合等先进工艺的导入，位元供给增长幅度有限，供不应求的市场状态或将持续全年。Samsung 与 NVIDIA 合作深化，后者新款 AI 推理芯片已委托三星晶圆代工事业部负责生产。

国产存储也在加速发展，长鑫存储已正式推出 LPDDR5X 产品，长江存储三期建设正迈向 100% 设备国产化目标。CBA+4F2 在制程节点压力以及混合键合技术积累加持之下或成为国产存储弯道超车的必由之路。国内利基存储市场亦将在 AI 定制化存储推动下迎来发展良机，长江存储和长鑫存储作为国内存储芯片制造龙头企业，有望为产业链带来诸多机会。

投资逻辑

存储行业正迎来新一轮景气周期，DRAM 与 NAND Flash 合约价格持续上涨，AI 算力需求爆发导致产能供应吃紧，全球 HBM 未来 3 年复合年增长率预计超 40%。存储原厂如 Micron 上调资本开支规划，重点投向 HBM 及 DRAM 产能建设，2026 年将转向制程技术升级与先进工艺导入。国产存储加速发展，长鑫存储推出 LPDDR5X 产品，长江存储三期建设迈向 100% 设备国产化，CBA+4F2 技术或成为国产存储弯道超车路径，国内利基市场在 AI 定制化存储推动下迎来发展良机。